石墨烯場效應晶體管芯片S20
·生長方法：CVD合成
·聚合物輔助轉移
·芯片尺寸：10 mm x 10 mm
·切屑厚度：675μm
·每個芯片的GFET數量：12
·柵極氧化物厚度：90 nm
·柵極氧化物材料：SiO2
·襯底電阻率：1-10Ω.cm
·金屬化：Au觸點
·石墨烯場效應遷移率：>1000 cm2/V.s
·封裝：50 nm Al2O3
·狄拉克點（背柵）：±2V
·狄拉克點（液體門控）：<1V
·最小工作裝置：>75%
·最大柵源電壓：±2V
·最高額定溫度：150°C
·最大漏源電流密度：107A.cm-2
2025 GFET-S2X測量協議及處理說明
https://www.www.hgsw168.cn/news/info/id/12672
Graphene Field-Effect Transistor Chip S-20 技術數據表
https://www.www.hgsw168.cn/news/info/id/12673
價格：4800元/片
jc@www.hgsw168.cn
