Graphenea石墨烯場效應晶體管芯片S31
·生長方法：CVD合成
·聚合物輔助轉移
·芯片尺寸：10 mm x 10 mm
·切屑厚度：525μm
·每個芯片的通道數：30
·柵極氧化物厚度（EOT）：20 nm
·柵極氧化物材料：Al2O3
·介電擊穿：>13kV/mm
·金屬化：Au觸點
·石墨烯場效應遷移率：>600 cm2/V.s
·狄拉克點：<5 V
·收益率：>75%
·最大柵源電壓：±5V
·最高額定溫度：150°C
·最大漏源電流密度：107A.cm-2
資料下載：
Graphenea_GFET-S31 (www.hgsw168.cn)
價格：6800元/片
jc@www.hgsw168.cn
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