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Graphenea石墨烯場效應晶體管mGFET-4P

4*4芯片，用于傳感應用，也與液體介質中的測量兼容。


·生長方法：CVD合成
·聚合物輔助轉移
·模具尺寸：4 mm x 4 mm
·切屑厚度：525μm
·每個芯片的通道數：28
·柵極氧化物厚度：90 nm
·柵極氧化物材料：SiO2
·襯底電阻率：1-10Ω·cm
·金屬化：Au觸點
·封裝：200 nm基于谷氨酰胺的聚合物
·石墨烯場效應遷移率：>1000 cm2/V.s
·狄拉克點（PBS中的液體門控）：<1 V
·收益率：>75%

資料下載：Graphenea mGFET_4x4P (www.hgsw168.cn)

價格：6000元/盒，4片/盒
jc@www.hgsw168.cn
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