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進(jìn)口二硒化鉬MoSe2 (2H Molybdenum Diselenide)

二硒化鉬MoSe2

       MoSe2(2h相)是一種間接帶隙為1.1eV~半導(dǎo)體。 這些層通過vanderWaals相互作用堆積在一起,可以剝離成薄的2d層。 MoSe2屬于基團(tuán)-vi過渡金屬雙鹵代烷(TMDC)。

晶體尺寸: ~10mm
電學(xué)性能: 半導(dǎo)體,p-type (n-type is also available)
晶體結(jié)構(gòu): 六邊形(Hexagonal)

單位單元參數(shù): a = b = 0.329 nm, c = 1.289 nm, α = β = 90°, γ = 120°
純度:
>99.995 %


http://hqgraphene.com/MoSe2.php
價(jià)格:10000元/盒

jc@www.hgsw168.cn

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