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中科院上海高等研究院Wei Chen課題組--石墨烯/碳化硅將CO2高選擇性光電還原為乙醇
      利用陽光從二氧化碳 (CO2 ) 中生產有價值的化學品和燃料,即人工光合作用 (AP) 是實現太陽能儲存和負碳循環(huán)的有前途的策略。然而,選擇性合成具有高 CO2轉化率的C2化合物對于當前的 AP 技術仍然具有挑戰(zhàn)性。我們在模擬太陽輻射下在石墨烯/碳化硅 (SiC) 催化劑上進行了 CO2光電還原,乙醇 (C2H5 OH) 選擇性 > 99%,CO2轉化率高達 17.1 mmol g cat−1  h−1個具有持續(xù)的性能。實驗和理論研究表明最佳界面層可促進光生電子從 SiC 襯底轉移到少層石墨烯覆蓋層,這也有利于有效的 CO2 到乙醇轉化途徑。
 
Fig 1. 合成方案、拉曼光譜和CO2光電催化性能。a) 石墨烯/SiC 復合材料制備示意圖。b) 100 nm 立方 SiC (c-S1) 和 200 nm (h-S2)、400 nm (h-S4) 和 800 nm (h-S8) 六方 SiC 以及相應外延生長的石墨烯的拉曼光譜/SiC 復合材料:c-GS1、h-GS2、h-GS4 和 h-GS8。c)裸SiC和石墨烯/SiC樣品的CO2光電催化性能比較。
 
Fig 2. 結構表征。a) 復合催化劑的C 1s能級的XPS光譜。b) 基于 (a) 中 XPS 光譜的 IL/SiC 和 Gr/SiC 的相對強度比。c) NEXAFS 光譜。d) 高分辨率圖像。黃色虛線表示晶格邊界。e) 復合催化劑的 EPR 光譜。
     
Fig 3. 檢測反應中間體。在不同光照射時間下, CO2和H2O 蒸氣混合物在 a) h-S4 和 b) h-GS4 上的共吸附原位 ATR-FTIR 光譜。

 
Fig 4. DFT研究。a) 在 SiC 襯底上具有 IL 和 Gr 層的石墨烯/SiC 復合催化劑的結構模型。b) 由于 CO 吸附引起的電荷密度差異圖,分別顯示為累積正電荷和負電荷的黃色和青色等值面。c) 計算的 CO 吸附能與 IL 結構的 Si/C 原子比。d) 計算的 CO 吸附能與 Bader 電荷分析預測的 CO 吸附引起的不飽和 C 位點的電子損失。e) Grvac1 /SiC1.25催化劑模型上 OC−CO 二聚和 CO 加氫的勢能面,與 Grvac1 /SiC 催化劑模型相反,這有利于二聚而不是加氫。
  
       相關研究工作由中科院上海高等研究院Wei Chen課題組于2023年在線發(fā)表在《Angewandte Chemie International Edition》期刊上,原文:Highly Selective Photoelectroreduction of Carbon Dioxide to Ethanol over Graphene/Silicon Carbide Composites。

轉自《石墨烯研究》公眾號
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