本文中，我們證明了嵌有Cs的雙分子層石墨烯，可作為承載高電子質(zhì)量量子阱態(tài)的應(yīng)變Cs薄膜生長的基底。Cs膜以fcc相生長，其晶格常數(shù)顯著降低，為4.9Å，與本體Cs相比，壓縮應(yīng)變?yōu)?1%。我們利用角分辨光發(fā)射光譜法研究了其電子結(jié)構(gòu)，并在二維空間中顯示了無質(zhì)量Dirac和大型Schrödinger電荷載流子的共存。通過對大量載流子的電子自能的分析，揭示了實(shí)現(xiàn)二維費(fèi)米氣體的晶體學(xué)方向。我們的工作介紹了在夾層Dirac上應(yīng)變金屬量子阱的生長。
Fig. 1 雙層石墨烯/ Ir(111)的表征。
Fig. 2 Cs蒸發(fā)后雙層石墨烯/Ir(111)的表征。
Fig. 3 帶結(jié)構(gòu)計(jì)算與ARPES實(shí)驗(yàn)的比較。
Fig. 4 量子阱態(tài)的自能分析。
相關(guān)研究成果于2020年由德國科隆大學(xué)Alexander Grüneis課題組，發(fā)表在Nature Communications(https://doi.org/10.1038/s41467-020-15130-1)上。原文：Massive and massless charge carriers in an epitaxially strained alkali metal quantum well on graphene
摘自《石墨烯雜志》公眾號：
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